HBM3، چهارمین نسل از فناوری HBM با ترکیبی از چندین تراشه DRAM که به‌صورت عمودی به هم متصل شده‌اند، محصولی با ارزش است که به‌طور خلاقانه‌ای نرخ پردازش داده‌ها را افزایش می‌دهد. باید به این نکته اشاره کرد که سه نسل قبلی HBM ،HBM2 و HBM2E هستند و در گزینه آخر مشخصات HBM2 به‌روزرسانی و پهنای باند و ظرفیت افزایش یافته است.
به گزارش videocardz، انتظار می‌رود که آخرین به‌روزرسانی، که پس از شروع تولید انبوه HBM2E در جولای سال گذشته صورت می‌گیرد، به تثبیت برتری این شرکت در بازار کمک کند. اس‌کی هاینیکس (SK hynix) همچنین اولین شرکتی در صنعت بود که تولید انبوه HBM2E را آغاز کرد.
نه‌تنها HBM3 اس‌کی هاینیکس سریع‌ترین DRAM در جهان است، بلکه بیشترین ظرفیت را داشته و سطح کیفیت آن به‌طور قابل توجهی بهبود یافته است. این محصول می‌تواند تا ۸۱۹ گیگابایت در ثانیه پردازش کند، به این معنی که ۱۶۳ فیلم FHD (هر کدام ۵ گیگابایت) را می‌توان در یک ثانیه انتقال داد. این نشان‌دهنده افزایش ۷۸ درصدی سرعت پردازش داده در مقایسه با HBM2E است.
همچنین HBM3 خطاهای داده را با کمک کد تصحیح خطای داخلی رفع می‌کند و بدین ترتیب قابلیت اطمینان محصول را به‌طور قابل توجهی بهبود می‌بخشد. این محصول در دو نوع ظرفیت ۲۴ گیگابایتی (بزرگ‌ترین نمونه موجود در صنعت) و ۱۶ گیگابایتی ارائه خواهد شد. مهندسان اس‌کی هاینیکس ارتفاع یک تراشه DRAM در نسخه ۲۴ گیگابایتی را تا حدود ۳۰ میکرومتر، معادل یک‌سوم ضخامت کاغذ A4، قبل از اینکه ۱۲ تراشه را به صورت عمودی روی هم قرار دهند، اعلام کرده‌اند.
انتظار می‌رود HBM3 عمدتاً توسط مراکز داده با عملکرد بالا و همچنین پلتفرم‌های یادگیری ماشینی که سطح هوش مصنوعی و عملکرد ابر محاسباتی مورد استفاده برای انجام تجزیه و تحلیل تغییرات آب‌وهوا و توسعه دارو را افزایش می‌دهند، مورد استفاده قرار گیرد.
سئون یونگ چا، معاون اجرایی مسئول توسعه DRAM گفت:
اس‌کی هاینیکس از زمان عرضه HBM DRAM در جهان، موفق شد اولین HBM3 صنعت را توسعه دهد. ما به تلاش‌های خود برای تقویت برتری در بازار حافظه پریمم و کمک به تقویت ارزش‌های مشتریان خود با ارائه محصولاتی مطابق با استانداردهای مدیریت ESG ادامه خواهیم داد.